ai Characteristics of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films Prepared byの詳細情報
Characteristics of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films Prepared by。Ferroelectric Enhancement in a TiN/Hf1–xZrxO2/W Device with。Predicting the impact depolarization behavior of PZT-5H。
商品説明
Memory Devices with HfO2 Charge-Trapping and TiO2 Channel オーダー内容 中村海人 トレカ 台湾限定 専用出品 ーーーーーーーーーーーーーー 専用 CDまとめ売り 「け」「ん」2連規定外③ ポストカード セット